瑞萨推出第三代汽车用SJ-MOSFET，同时降低导通电阻和EMI

瑞萨电子已开发出一种30-40V耐压汽车超结MOSFET（SJ-MOSFET），可同时降低导通电阻和EMI（电磁噪声）。它于26日至30日在石川县金泽市举行。在上发布了技术详细信息（语音编号4-2）。通过减小水平和垂直方向上的SJ-MOSFET栅极外围的尺寸，可以实现出色的特性。这是该公司的第三代汽车SJ-MOSFET，计划在1-2年内开始批量生产。用于驱动汽车电机等的电流超过100A的功率MOSFET不仅必须降低开关损耗，而且还必须降低导通电阻和栅极电荷。因此，瑞萨首先减小了水平方向上的上部结构的尺寸（p / n层间距）和垂直方向上的尺寸（耐压层的厚度），以实现低导通电阻。 p / n层的最小间距为1.0 m，比原始间距小30％。然而，这种配置的缺点是栅极电荷容易增加。因此，瑞萨电子通过加厚栅极绝缘膜来抑制栅极电荷量的增加。高容量功率MOSFET面临的另一个技术问题是如何减少体二极管恢复期间的电流过冲。当低侧MOSFET电流增加而高侧MOSFET电流减小时，高侧MOSFET下降到负数后将再次变为正。该电流过冲会导致EMI。这次，瑞萨电子分析了恢复过程中剩余空穴的状态，从而减少了p型基极的杂质添加，从而实现了较小的电流过冲恢复（软恢复）。指示当前超调的索引。与原始阈值相比，该亚阈值系数提高了20％以上。试制功率MOSFET的电流为150A，绝缘击穿电压为32.8V。导通电阻值为4.75mΩmm2，在具有30V耐压的功率MOSFET中是业界最佳的。