其简单的电路吸引了下面LED闪烁电路的彩色动画（GIF）。
实际上，它与普通的单管振荡器电路有很大不同。
通常的单管振荡电路，无论是RC移位振荡电路，还是由LC组成的三点振荡电路，还是变压器耦合振荡电路，都需要三极管具有基本的放大和偏置工作状态，然后通过正反馈形成正弦振荡或多谐波振荡。
RC移位项振荡电路：https://www.tutorialspoint.com/sinusoidal_oscillators/sinusoidal_phase_shift_oscillators.htm但是，以下基于BC547-NPN振荡的演示电路太奇怪了！ ▲动画振荡器演示电路中的有源器件BC547通常没有偏置，其基极悬空。
而且，NPN晶体管没有根据正常电压配置。
集电极电位高于发射极，但发射极电位高于集电极。
该NPN晶体管被殴打！看到这个电路，每个人都会问：这个电路真的可以振荡吗？ ！ ！ ！ ▲振荡电路如果手边有相应的组件，则可以在面包板上轻松建立实验电路。
由于使用的晶体管型号不同于BC547，因此当稳压电源为9V时，电路不会振荡。
当电压升至12V时，可以观察到电路中的LED开始周期性闪烁。
▲实验电路建立在试验板上。
使用示波器观察电路中电解电容器C1上的电压信号。
LED串联限流电阻器R2上的电压信号可以对应于振荡信号。
▲三极管集电极和发射极信号波形|黄线：发射极（e）信号|青色：集电极（c）信号当通过R1（2.7kΩ）的电源电压（12V）给C1（100uF）充电超过10V左右时，晶体管开始击穿。
击穿后，电容器电压开始通过晶体管，R2和LED放电，导致C1电压开始迅速下降。
随着C1电压的降低，当放电电流减小一半时，三极管将恢复其截止状态。
电路开始一个新的周期。
▲晶体管集电极发射极信号黄线：发射极（e）信号青色：集电极（c）信号在此振荡器电路中，未应用晶体管的放大器功能，但在其CE引脚之间使用了晶体管。
击穿后出现的负电阻现象，即，随着流过的电流的增加，CE两端的电压反而降低。
在下表中，示出了晶体管2N2222A的C-E之间的电压和电流之间的关系。
曲线的斜率为负，表示等效电阻值为负。
▲电压和流过晶体管2N2222A C-E的电流之间的关系对于负电阻设备，一些外部储能设备（电容器，电感器）可以并联连接以形成振荡电路。
下图是一个简单的LC正弦振荡电路。
▲由2N2222A的C-E之间的负电阻建立的正弦振荡器。
最早由Leo Easki研究了半导体中的负电阻现象。
由于发现隧道二极管中的量子隧穿效应，他后来于1973年获得了诺贝尔物理学奖。
使用设备负电阻的脉冲振荡器的频率主要由外部储能设备的参数确定。
将前一个电路中C1的电容值更改为0.1uF，相应的振荡波形如下，并将振荡频率增加到1.773kHz。
▲振荡电路中的集电极和发射极信号。
在电路开始振荡之前，电路的工作电压必须大于晶体管C-E的反向击穿电压。
随着电源电压的增加，当其超过一定电压时，流经R1的电流将使三极管在击穿后始终保持导通状态，并且电路将停止振荡。
下图显示了使用万用表测量R1信号的振荡频率时工作电流从9V变为19V的变化。
可以得到振荡频率与工作电压之间的关系曲线。
▲工作电压从9.5V变为19V的过程。
可以看出，只有当工作电压在10.2V至18.5V之间时，电路才能正常振荡。
在该范围内，振荡频率随着工作电压的增加而增加。
▲在不同的工作电压下输出信号的频率为了获得更强的振荡信号，多路半导体