最近，中国的一站式IP和定制芯片公司Core Motion Technology宣布，它已基于SMIC的FinFET N + 1先进工艺完成了世界上第一个芯片流片和测试。
所有IP都是内部制作的，其功能已经过一次测试。
N + 1工艺在功耗和稳定性方面类似于7nm工艺，但其性能较低（行业标准提高了35％）。
它主要用于低功耗应用，稍后将有N + 2用于高性能。
N + 1工艺是中芯国际第一代先进工艺14nm批量生产之后第二代先进工艺的代号。
据报道，与14nm相比，N + 1工艺取得了更大的突破，性能提高了20％，功耗降低了57％，逻辑面积降低了63％。
中芯国际联合首席执行官梁孟松透露，就功率和稳定性而言，在N + 1和7nm工艺方面，它们非常相似。
唯一的区别在于性能。
N + 1进程的改进较小。
出带是大规模生产芯片之前的必要步骤。
为了测试集成电路设计是否成功，有必要进行芯片的试生产以验证电路是否具有所需的性能和功能。
如果流片成功，则可以大规模批量生产芯片。
否则，有必要找出原因并相应地优化设计。
中芯国际的N + 1工艺有望在2020年底分批试生产。
根据这一时间表，推测如果进展顺利，中芯国际的N + 1工艺确实可以量产。
在2021年，除了用于手机处理器的最先进的芯片制造工艺外，许多芯片对制造工艺的要求也不高。
以台积电为例。
台积电（TSMC）在2019年的晶圆出货量达到1010万枚12英寸晶圆当量，去年相当于1080万枚12英寸晶圆。
先进工艺技术（16纳米及以下更先进工艺）的销售额占晶圆总销售额的50％，高于去年的41％。
提供272种不同的工艺技术。
剩下的50％是16nm以上的工艺。
可以说中芯国际的7nm工艺将满足大多数国内芯片需求。
目前，在没有第五代EUV光刻机的情况下，中芯国际很难推进到5nm制程。
目前，中芯国际已受到美国的制裁，这在一定程度上也影响了其先进工艺的研发。
尽管中芯国际受到美国出口限制，但中芯国际的当前形势尚未达到最糟糕的时刻。
目前，美国尚未将中芯国际列入实体名单，中芯国际仍有望成功获得部分许可，以便可以维持某些成熟的制裁措施。
但是，对于中芯国际来说，它仍然严重依赖美国半导体设备供应商，包括美国应用材料，Panlin集团，Kelei，Teradyne等。
因此，首先需要考虑的是如何保持足够长的运行时间，以能够支持建立不受美国限制的美化生产线。
中芯国际的未来有赖于在中国建立完整，成熟的芯片产业链，才能在中国完成高端芯片的设计与制造。