当输入电压（VDD）高于检测电压（-VDET）时，输入电压等于输出电压（VOUT），N沟道开漏MOSFET关断。
如图3（a）所示。
当输入电压（VDD）低于检测电压（-VMIN）时，输出电压（VOUT）等于VSS。
当输入电压（VDD）降至最低工作电压（VMIN）时，输出电压不确定。
当输入电压从地电位（VSS）上升时，当VDD低于最小工作电压（VMIN）时，输出电压是不确定的。
当VDD超过VMIN时，输出电压将保持在电位（VSS）。
当输入电压上升到释放电压（+ VDET）时，输出电压等于输入电压。
释放电压（+ VDET）和检测电压（-VDET）之间的电压差是滞后电压。
当输入电压（VDD）从地上升时，延迟电路将产生一定的延迟时间tDLY。
在输入电压（VDD）超过释放电压（+ VDET）后，输出电压在一段时间tDLY后等于输入电压，如图3（b）所示。
1.低功耗2.低温漂3.内置高性能参考电压源4.内置迟滞特性1，电池检测2，自定义电平选择3，电源故障检测4，微处理器复位5，电池记忆备份6，信号存储保护电压检测器适用于电池供电的电子设备。
目前，它已广泛应用于微电脑复位电路，电子设备上电复位电路，电池充放电检测电路，存储备用电池控制电路，断电检测电路和延迟电路。