许多MCU开发人员不了解在MCU晶振两侧将电容器接地的做法，因为有时可以移走该电容器。
作者提到了很多书，但发现书中解释很少。
最常提到的是：对地电容稳定或等于负载电容等，并且没有深入的理论分析。
另一方面，许多发烧友会直接忽略晶体旁边的两个电容器，他们认为只是遵循参考设计。
但是实际上，这是MCU的振荡电路，也称为“三点电容器振荡电路”，如图1所示。
图1：MCU的三点电容器振荡电路。
Y1是晶体，等效于三点型电感。
C1和C2是电容器，而5404和R1是一个NPN晶体管（您可以在高频书中比较三点电容器）振荡电路）。
▼接下来，我将为所有人分析此电路。
首先，5404必须内置一个电阻，否则它将位于饱和截止区域，而不是放大区域，因为R1等效于晶体管的偏置，从而使5404处于放大区域并起作用作为反相器，以实现NPN三极管的功能，NPN三极管也是公共发射极连接中的反相器。
接下来，我将以一种流行的方式来解释这种三点振荡器电路的工作原理。
众所周知，正弦振荡电路的振荡条件是：系统放大倍数大于1，这种条件更容易实现；反之亦然。
但另一方面，相位必须达到360°。
问题在于此阶段：由于5404是逆变器，它已经实现了180°相移，因此只有C1，C2和Y1才需要再次实现180°相移。
碰巧的是，当C1，C2和Y1形成共振时，可以实现180个相移。
实现此目的的最简单方法是使用地面作为参考。
在谐振期间，由于流经C1和C2的电流相同，因此接地在C1和C1处。
在C2之间，因此电压是相反的，从而实现180度相移。
此外，当C1增加时，C2端的振幅增加；当C2减小时，振幅也增大。
有时即使不焊接C1和C2也可以开始振动，但是这种现象不是由不焊接C1和C2的做法引起的，而是由芯片引脚的分布电容引起的，因为C1和C2的电容值不是需要。
这是非常重要的。
▼那么，这两个电容器对振荡稳定性有什么影响？由于5404的电压反馈依赖于C2，因此假设C2太大而反馈电压太低，则此时振荡不稳定。
假设C2太小，反馈电压太高，存储的能量太小，则容易受到外界干扰和辐射。
外面的世界。
C1的角色与C2的角色恰好相反。
在布置电路板时，假设使用双面电路板和较厚的电路板，则分布电容的影响不是很大。
但是，当采用高密度多层板时，必须考虑分布电容，尤其是诸如VCO之类的振荡电路，应考虑更多分布电容。
因此，对于那些用于工业控制的项目，作者建议最好不要使用晶体振荡器，而应直接连接有源晶体振荡器。
很多时候，人们将使用32.768K时钟晶体作为时钟，而不是通过单片机的晶体分频时钟。
许多人不了解原因。
实际上，这与晶体的稳定性有关：频率越高。
对于晶体，Q值通常很难较高，并且频率稳定性相对较差； 32.768K晶体在稳定性等各个方面都具有良好的性能，并且还形成了相对容易提高的行业标准。
还值得一提的是32.768K是16位数据的一半，保留了最高的1位进位标志。
用作内部数字计算处理的计时器也非常方便。
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